AO4613場效應(yīng)管規(guī)格：

    FET 類型：N 和 P 溝道

    FET 功能：邏輯電平門

    漏源電壓（Vdss）：30V

    不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 7.2A，10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識(shí)別：

    場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。