AO4444場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格：

    FET 類型：N 溝道

    技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

    漏源電壓（Vdss）：80V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta）

    驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V

    不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 11A，10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.8V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值）：46nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±25V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2865pF @ 40V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    作用:

    場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大.由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.