BD237G的主要參數(shù)

型號(hào)：BD237G

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

 安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-225-3

晶體管極性:NPN

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V

集電極—基極電壓 VCBO:100 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—射極飽和電壓:0.6 V

最大直流電集電極電流:2 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:3 MHz

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:BD237

高度:11.04 mm (Max) 

長(zhǎng)度:7.74 mm (Max)

 封裝:Bulk

 寬度:2.66 mm (Max)

商標(biāo):ON Semiconductor 

集電極連續(xù)電流:2 A

 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 

Pd-功率耗散:25 W 

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 

工廠包裝數(shù)量:500 

子類別:Transistors 

單位重量:680 mg

Mouser編號(hào)：863-BD237G

制造商編號(hào)：BD237G

制造商：ON Semiconductor

說(shuō)明：雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 2A 80V 25W NPN

公司簡(jiǎn)介：

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