AO4821場效應(yīng)管規(guī)格：

    FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

    FET 功能：邏輯電平門

    漏源電壓（Vdss）：12V

    電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9A

    不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：19 毫歐 @ 9A，4.5V

    不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：850mV @ 250?A

    不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：23nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：2100pF @ 6V

    功率 - 最大值：2W

    工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

    供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

    場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

    場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。