FQPF8N60C的主要參數(shù)

型號(hào)：FQPF8N60C

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

 技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:7.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:16.3 mm 

長(zhǎng)度:10.67 mm

 系列:FQPF8N60C 

晶體管類型:1 N-Channel 

類型:MOSFET 

寬度:4.7 mm 

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild 

正向跨導(dǎo) - 最小值:8.7 S 

下降時(shí)間:64.5 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET 

上升時(shí)間:60.5 ns 

工廠包裝數(shù)量:1000 

子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:81 ns 

典型接通延遲時(shí)間:16.5 ns

 零件號(hào)別名:FQPF8N60C_NL

 單位重量:2.270 g

Mouser編號(hào)：512-FQPF8N60C

制造商編號(hào)：FQPF8N60C

制造商：ON Semiconductor / Fairchild

說明：MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

公司簡(jiǎn)介：

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