MJD122T4G的主要參數(shù)

型號(hào)：MJD122T4G

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):達(dá)林頓晶體管

 配置:Single

晶體管極性:NPN

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V

集電極—基極電壓 VCBO:100 V

最大直流電集電極電流:8 A

最大集電極截止電流:10 uA

Pd-功率耗散:20 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-252-3 (DPAK)

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

系列:MJD122

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:2.38 mm 

長(zhǎng)度:6.73 mm 

寬度:6.22 mm 

商標(biāo):ON Semiconductor

 集電極連續(xù)電流:8 A 

直流集電極/Base Gain hfe Min:100, 1000 

產(chǎn)品類(lèi)型:Darlington Transistors 

工廠包裝數(shù)量:2500 

子類(lèi)別:Transistors 

單位重量:500 mg

Mouser編號(hào)：863-MJD122T4G

制造商編號(hào)：MJD122T4G

制造商：ON Semiconductor

說(shuō)明：達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN

公司簡(jiǎn)介：

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