IRFB4212的主要參數(shù)

型號：IRFB4212

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:18 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:72.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:60 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:15.65 mm 

長度:10 mm

 晶體管類型:1 N-Channel 

寬度:4.4 mm

 商標(biāo):Infineon / IR 

下降時間:3.9 ns 

產(chǎn)品類型:MOSFET

 上升時間:28 ns 

子類別:MOSFETs 

典型關(guān)閉延遲時間:14 ns 

典型接通延遲時間:7.7 ns 

單位重量:6 g

制造商編號：IRFB4212

制造商：Infineon / IR

說明：MOSFET

公司簡介：

深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司是一家專業(yè)面對科研單位和OEM的供應(yīng)商。公司自成立以來，注重于公司的信譽，產(chǎn)品的質(zhì)量以及附加值的體現(xiàn)。質(zhì)量保證，價格合理，交貨快捷。真誠地與您建立長久的合作關(guān)系。

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