TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5

制造商: Toshiba

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DFN8x8-5

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導通電阻: 156 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

Qg-柵極電荷: 55 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: DTMOSIV

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 0.85 mm  

長度: 8 mm  

系列: TK20V60W5  

寬度: 8 mm  

商標: Toshiba  

下降時間: 6 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 45 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 100 ns  

典型接通延遲時間: 90 ns

制造商: Toshiba

產品種類: MOSFET

RoHS:  詳細信息  

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DFN8x8-5

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導通電阻: 156 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

Qg-柵極電荷: 55 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: DTMOSIV

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 0.85 mm  

長度: 8 mm  

系列: TK20V60W5  

寬度: 8 mm  

商標: Toshiba  

下降時間: 6 ns  

產品類型: MOSFET  

上升時間: 45 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關閉延遲時間: 100 ns  

典型接通延遲時間: 90 ns