

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
店齡6年 ·
企業(yè)認(rèn)證 ·
廣東省深圳市
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 安富世紀(jì),只做原裝正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 針對(duì)全世界客戶,原裝正品,現(xiàn)貨。
BSC011N03LSI貼片TDSON-8-MOSFET
價(jià)格
訂貨量(pcs)
¥1.00
≥1
店鋪主推品 熱銷(xiāo)潛力款
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
店齡6年
企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
小琳/顏娜/小蔡
聯(lián)系電話
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
安富世紀(jì),只做原裝正品代理TI, AD, MAXIM, NS, INF, NXP, ST, ON, SIPEX等等 針對(duì)全世界客戶,原裝正品,現(xiàn)貨。
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司是國(guó)際知名的電子元器件通路商。公司經(jīng)過(guò)多年的努力,我們已成為中國(guó)最大的電子產(chǎn)品授權(quán)分銷(xiāo)商之一, 擁有國(guó)內(nèi)國(guó)際各類(lèi)型客戶一千多家,公司在臺(tái)灣、香港、北京及深圳等地開(kāi)設(shè)了分支機(jī)構(gòu),在馬來(lái)西亞設(shè)有中轉(zhuǎn)倉(cāng)庫(kù).
BSC011N03LS規(guī)格:
制造商: Infineon
BSC011N03LSI產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
BSC011N03LSI封裝 / 箱體: PG-TDSON-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 S
下降時(shí)間: 6.2 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 9.2 ns
BSC011N03LSI工廠包裝數(shù)量: 5000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 35 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6.4 ns
零件號(hào)別名: BSC011N03LSIATMA1 BSC11N3LSIXT SP000884574
單位重量: 100 mg
BSC011N03LS產(chǎn)品圖片:
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-TDSON-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
