BSC011N03LSI貼片TDSON-8 MOSFET
BSC011N03LSI貼片TDSON-8 MOSFET
BSC011N03LSI貼片TDSON-8 MOSFET
BSC011N03LSI貼片TDSON-8 MOSFET
BSC011N03LSI貼片TDSON-8 MOSFET
BSC011N03LSI貼片TDSON-8 MOSFET

BSC011N03LSI貼片TDSON-8-MOSFET

價(jià)格

訂貨量(pcs)

¥1.00

≥1

聯(lián)系人 小琳/顏娜/小蔡

䝒䝐䝏䝓䝕䝖䝐䝕䝐䝖䝖

發(fā)貨地 廣東省深圳市
進(jìn)入商鋪
掃碼查看

掃碼查看

手機(jī)掃碼 快速查看

在線客服

商品參數(shù)
|
商品介紹
|
聯(lián)系方式
封裝 TDSON-8
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
數(shù)量 5000
Pd-功率耗散: 96W
數(shù)量 10000
商品介紹

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司是國(guó)際知名的電子元器件通路商。公司經(jīng)過(guò)多年的努力,我們已成為中國(guó)最大的電子產(chǎn)品授權(quán)分銷(xiāo)商之一, 擁有國(guó)內(nèi)國(guó)際各類(lèi)型客戶一千多家,公司在臺(tái)灣、香港、北京及深圳等地開(kāi)設(shè)了分支機(jī)構(gòu),在馬來(lái)西亞設(shè)有中轉(zhuǎn)倉(cāng)庫(kù).

BSC011N03LS規(guī)格:


制造商: Infineon

BSC011N03LSI產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

BSC011N03LSI封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 68 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.27 mm  

長(zhǎng)度: 5.9 mm  

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 S  

下降時(shí)間: 6.2 ns  

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET  

上升時(shí)間: 9.2 ns  

BSC011N03LSI工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類(lèi)別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 35 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 6.4 ns  

零件號(hào)別名: BSC011N03LSIATMA1 BSC11N3LSIXT SP000884574  

單位重量: 100 mg

BSC011N03LS產(chǎn)品圖片:


制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 68 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 96 W




聯(lián)系方式
公司名稱(chēng) 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
聯(lián)系賣(mài)家 小琳/顏娜/小蔡 (QQ:611284370)
電話 䝑䝗䝏䝏-䝕䝐䝓䝔䝔䝗䝕䝔
手機(jī) 䝒䝐䝏䝓䝕䝖䝐䝕䝐䝖䝖
傳真 䝑䝗䝏䝏-䝘䝘䝕䝕䝐䝓䝐䝑
地址 廣東省深圳市