倒裝芯片COB與正式COB相比有哪些優(yōu)勢(shì)？隨著LED產(chǎn)品的成熟度越來越高，該技術(shù)變得越來越困難。倒裝芯片LED技術(shù)近年來逐漸受到業(yè)界的追捧。由于其良好的無金散熱性，但成本高，COB已成為市場(chǎng)的良好墊腳石。首先，底部藍(lán)寶石襯底面向上，光子來自高度透明的藍(lán)寶石襯底，相應(yīng)的正負(fù)載芯片光子需要穿過ITO導(dǎo)電層。其次，由于電極面朝下，發(fā)光熱量的量子阱也低于此，因此導(dǎo)熱路徑短，散熱效果更好。第三，管芯焊盤和基板之間的連接直接由金屬焊接制成，這不僅固定芯片，而且還加強(qiáng)了熱傳導(dǎo)（純金屬的導(dǎo)熱率高于非金屬的導(dǎo)熱率）。 4. LED封裝中的引線鍵合非常容易出問題。在此過程中，超過90％的LED死燈與鍵合線相關(guān)。采用倒裝芯片技術(shù)的無需金線封裝的LED光源可以完全解決死燈問題，這在COB和集成光源中更為重要。第五，整燈測(cè)試溫度較低，光衰減較小。

優(yōu)選地，所述di一電極、第二金屬層a及di一金屬層a相互連通，所述第二電極、第二金屬層b以及di一金屬層b相互連通。

優(yōu)選地，所述LED芯片為三個(gè)，三個(gè)LED芯片呈一字型排列且相互串聯(lián)連接，三個(gè)所述LED芯片的總面積占基板面積的65%-70%。

優(yōu)選地，所述LED芯片為六個(gè)，其中四個(gè)并排排列，另外兩個(gè)并排排列，每三個(gè)LED芯片之間相互串聯(lián)，串聯(lián)后的LED芯片相互并聯(lián)，LED芯片的總面積占基板面積的42%-46%。

優(yōu)選地，所述LED芯片為六個(gè)，其中每三個(gè)并排排列每三個(gè)LED芯片之間相互串聯(lián)，串聯(lián)后的LED芯片相互并聯(lián)。

優(yōu)選地，所述熒光粉為鋁酸鹽、氮化物、硅酸鹽熒光粉中的一種或多種。

優(yōu)選地，所述熒光粉采用噴涂的方式設(shè)置于所述LED芯片的周圍。

優(yōu)選地，所述基板的背面與所述LED芯片相匹配的位置還設(shè)置有第三金屬層，所述第三金屬層與di一金屬層之間相互絕緣。