IPD65R600C6  分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET  MOSFET  單 （百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢供應(yīng)）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 540 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

高度: 2.3 mm  

長度: 6.5 mm  

系列: CoolMOS C6  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 6.22 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

下降時間: 13 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 9 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2500  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 80 ns  

典型接通延遲時間: 12 ns  

零件號別名: IPD65R600C6BTMA1 IPD65R6C6XT SP000745020  

單位重量: 4 g  

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