IPD65R600C6晶體管FET
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廣東省深圳市
IPD65R600C6 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 FET MOSFET 單 (百分百原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢供應(yīng))
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 540 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 23 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
系列: CoolMOS C6
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 13 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 80 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
零件號別名: IPD65R600C6BTMA1 IPD65R6C6XT SP000745020
單位重量: 4 g
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