IRGB4061DPBF   分立半導體產(chǎn)品   晶體管  UGBT   MOSFET  單  （百分百原裝現(xiàn)貨  優(yōu)勢供應(yīng)）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-220AB-3

安裝風格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 36 A

Pd-功率耗散: 206 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

封裝: Tube

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 36 A  

高度: 16.51 mm  

長度: 10.67 mm  

寬度: 4.83 mm  

商標: Infineon Technologies  

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors  

工廠包裝數(shù)量: 1000  

子類別: IGBTs  

零件號別名: SP001536144  

單位重量: 6 g

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