深圳市延銘標(biāo)牌工藝有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 金屬工藝品
深圳蝕刻喇叭網(wǎng)工藝制造-延銘工藝-蝕刻喇叭網(wǎng)批量生產(chǎn)
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深圳市延銘標(biāo)牌工藝有限公司
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廖小姐
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經(jīng)營(yíng)模式
生產(chǎn)加工
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
不銹鋼標(biāo)牌蝕刻
人造木材由于具有色彩鮮艷、圖案清晰和價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),而廣泛應(yīng)用于建筑裝飾和家具等行業(yè),制約人造木材生產(chǎn)的關(guān)鍵是模具板。利用蝕刻方法能夠在不銹鋼模具上雕刻出各種花紋圖案,提高所加工制件的裝飾和美觀性能。在技術(shù)分為機(jī)械、化學(xué)和電化學(xué)方法等[1~4],其中化學(xué)蝕刻具有工藝簡(jiǎn)單、操作方便、精度高和生產(chǎn)成本低等優(yōu)點(diǎn),適合于批量生產(chǎn),蝕刻深度為20~200μm。化學(xué)蝕刻涉及材料科學(xué)、照相制版技術(shù)和金屬腐蝕與防護(hù)等。圖紋膜的致密性、耐蝕性和耐熱性尤為重要。不銹鋼拋光技術(shù)分為機(jī)械、化學(xué)和電化學(xué)拋光,其中化學(xué)拋光具有工藝簡(jiǎn)單、操作方便、投資少、生產(chǎn)成本低和適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn)[5,6],化學(xué)拋光實(shí)際是不銹鋼溶解和鈍化兩種過(guò)程相互競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果,拋光質(zhì)量不僅與不銹鋼材質(zhì)、加工方法、制品大小和結(jié)構(gòu)以及表面狀態(tài)等有關(guān),而且還與溶液配方和拋光工藝參數(shù)有關(guān)。化學(xué)拋光溶液分為王水型、硫酸型、磷酸型和醋酸-雙氧水型等[7],為了改善和提高拋光質(zhì)量而加入一定量添加劑,添加劑不銹鋼化學(xué)拋光分為浸泡、噴淋和涂膏等,浸泡又分為高溫、中溫和室溫拋光[9]。 目前,我國(guó)人造木材行業(yè)應(yīng)用的模具板主要是從歐洲進(jìn)口,不僅價(jià)格昂貴,而且修復(fù)困難,因此不銹鋼模具板的國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。本文針對(duì)國(guó)產(chǎn)不銹鋼板材,研究了化學(xué)蝕刻、化學(xué)拋光和電鍍鉻工藝參數(shù)不銹鋼蝕刻標(biāo)牌 不銹鋼化學(xué)蝕刻配方和工藝參數(shù)為:fecl3660~850g/l、hcl(36%)8~20ml/l,添加劑
10~20g/l,溫度45~50℃。在此條件下,蝕刻速度為10~20μm/h,蝕刻時(shí)間根據(jù)圖紋具體深度而定。 2) 化學(xué)拋光配方和工藝參數(shù)為:硝酸(65%)15~40ml/l,鹽酸(36.5%)60~100ml/l,磷酸(85%)20~45ml/l,復(fù)合光亮劑1~5g/l,緩蝕劑0.2~2g/l,增稠劑2~20g/l,拋光溫度為25~40℃,拋光時(shí)間為1~5h。在此條件下,可以獲得光亮如鏡的拋光面。3) 電鍍鉻工藝:鉻酐230~270g/l,硫酸2.3~2.7g/l,三價(jià)鉻<5g/l,陰極電流密度50~60a/dm2,溫度55~60℃。鉻酐在電鍍鉻溶液中不僅起到穩(wěn)定鍍液的作用,而且對(duì)ph也有一定的緩沖作用,從而使得鍍層厚度可持續(xù)增加。
此方法所使用的溶液為二價(jià)銅, 不是氨-銅蝕刻, 它將有可能被用在印制電路工業(yè)中。 在 PCH 工業(yè)中, 蝕刻銅箔的典型厚度為 5 到 10 密耳(mils), 有些情況 下厚度卻相當(dāng)大。它對(duì)蝕刻參數(shù)的要求經(jīng)常比 PCB 工業(yè)更為苛刻。 有一項(xiàng)來(lái)自 PCM 工業(yè)系統(tǒng)但尚未正式發(fā)表的研究成果﹐相信其結(jié)果將會(huì)令人耳目一新。 由于有雄厚的項(xiàng)目支持﹐因此研究人員有能力從長(zhǎng)遠(yuǎn)意議上對(duì)蝕刻裝置的設(shè)計(jì)思想進(jìn) 行改變﹐同時(shí)研究這些改變所產(chǎn)生的效果。 比如說(shuō)﹐與錐形噴嘴相比﹐采用扇形噴嘴的設(shè) 計(jì)效果更佳﹐而且噴淋集流腔 (即噴嘴擰進(jìn)去的那一段管) 也有一個(gè)安裝角度﹐對(duì)進(jìn)入蝕刻 艙中的工件呈 30 度噴射﹐若不進(jìn)行這樣的改變, 集流腔上噴嘴的安裝方式將會(huì)導(dǎo)致每個(gè)相 領(lǐng)噴嘴的噴射角度都不一致。
化學(xué)蝕刻(Chemical etching)-- 氣態(tài)物質(zhì)(中性原子團(tuán))與表面反應(yīng), 產(chǎn)物必定易揮發(fā),也稱為等離子蝕刻。 等離子增強(qiáng)蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨(dú)使用中性原子團(tuán)不能形成易揮發(fā)產(chǎn)物,具有一定 能量的離子改變襯底或產(chǎn)物;具有一定能量的離子改變襯底或產(chǎn)物層,這樣,化學(xué)反應(yīng)以后 能生成揮發(fā)性物質(zhì),亦稱為反應(yīng)離子蝕刻(RIE) 。 濺射蝕刻(Sputter etching)--具有一定能量的離子機(jī)械的濺射襯底材料。 蝕刻速率(Etch rate)--材料的剝離速率,通常以?/min,?/sec,nm/min, um/min 為單位計(jì) 量。 各向同性蝕刻( Isotropic etch)-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。