而采用噴淋的方式卻可以 達(dá)到通過(guò)大氣中氧的作用將一價(jià)銅轉(zhuǎn)換成二價(jià)銅, 并去除一價(jià)銅, 這就是需要將空氣通入 蝕刻箱的一個(gè)功能性的原因。 但是如果空氣太多﹐又會(huì)加速溶液中的氨的損失而使 PH 值下 降﹐使蝕刻速率降低。要達(dá)到這一個(gè)要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個(gè)過(guò)程始終保持在很好的蝕刻狀態(tài)。 氨在溶液中的變化量也是需要加以控制的, 有一些用戶采用將純氨 通入蝕刻儲(chǔ)液槽的做法, 但這樣做必須加一套 PH 計(jì)控制系統(tǒng), 當(dāng)自動(dòng)監(jiān)測(cè)的 PH 結(jié)果低于默 認(rèn)值時(shí)﹐便會(huì)自動(dòng)進(jìn)行溶液添加。 在相關(guān)的化學(xué)蝕刻（亦稱之為光化學(xué)蝕刻或 PCH）領(lǐng)域中﹐研究工作已經(jīng)開始﹐并達(dá)至 蝕刻機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的階段。

氯化銨含量的影響 通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1+的再生需要有過(guò)量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL, 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1+得不到再生﹐蝕刻速率就會(huì)降低 ﹐以至失去蝕刻能力。 所以﹐氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率影響很大。因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快,故很難做到同時(shí)使全部蝕刻都干凈。 隨著蝕刻的進(jìn)行﹐要不 斷補(bǔ)加氯化銨。 但是﹐溶液中 CL 含量過(guò)高會(huì)引起抗蝕層被浸蝕。 一般蝕刻液中 NH4CL 含 量應(yīng)在 150g/L 左右。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個(gè)工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計(jì) 圖案通過(guò)曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過(guò)程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。我們選擇一塊1厘米厚的墊板，把它放在絲網(wǎng)網(wǎng)版與網(wǎng)印平臺(tái)架子面板的后面，它們之間的這個(gè)距離，這就是網(wǎng)距。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時(shí)，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過(guò)能力。