而采用噴淋的方式卻可以 達到通過大氣中氧的作用將一價銅轉(zhuǎn)換成二價銅, 并去除一價銅, 這就是需要將空氣通入 蝕刻箱的一個功能性的原因。 但是如果空氣太多﹐又會加速溶液中的氨的損失而使 PH 值下 降﹐使蝕刻速率降低。要達到這一個要求﹐必須保證蝕刻液在蝕刻的整個過程始終保持在很好的蝕刻狀態(tài)。 氨在溶液中的變化量也是需要加以控制的, 有一些用戶采用將純氨 通入蝕刻儲液槽的做法, 但這樣做必須加一套 PH 計控制系統(tǒng), 當(dāng)自動監(jiān)測的 PH 結(jié)果低于默 認值時﹐便會自動進行溶液添加。 在相關(guān)的化學(xué)蝕刻（亦稱之為光化學(xué)蝕刻或 PCH）領(lǐng)域中﹐研究工作已經(jīng)開始﹐并達至 蝕刻機結(jié)構(gòu)設(shè)計的階段。

氯化銨含量的影響 通過蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1+的再生需要有過量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL, 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1+得不到再生﹐蝕刻速率就會降低 ﹐以至失去蝕刻能力。 所以﹐氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快,故很難做到同時使全部蝕刻都干凈。 隨著蝕刻的進行﹐要不 斷補加氯化銨。 但是﹐溶液中 CL 含量過高會引起抗蝕層被浸蝕。 一般蝕刻液中 NH4CL 含 量應(yīng)在 150g/L 左右。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。我們選擇一塊1厘米厚的墊板，把它放在絲網(wǎng)網(wǎng)版與網(wǎng)印平臺架子面板的后面，它們之間的這個距離，這就是網(wǎng)距。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。