一、特性
低待機(jī)電流 小于 0.1uA)
低導(dǎo)通內(nèi)阻 MOSFET 功率開關(guān)管
— 采用 MOS 工藝設(shè)計(jì)功率管
— 12 00 毫安通道功率管內(nèi)阻 0. 3 5 歐姆
— 200 毫安通道功率管內(nèi)阻 0. 3 1 歐姆
特定條件下 VCC 可以懸空
— 輸入信號(hào)高電平電壓大于 2.4V較小的輸入電流
— 集成約 1 5 K 對(duì)地下拉電阻
— VCC 正常連接， 3V 驅(qū)動(dòng)信號(hào)平均 200 uA 輸入電流
— VCC 懸空， 3V 驅(qū)動(dòng)信號(hào)平均 350 uA 輸入電流
內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路 (抗靜電等級(jí)： 3 KV (HBM)

二、概述
該產(chǎn)品采用H 橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET ，工作電壓范圍覆蓋 2 V 到 9.6 V 。 27 V DD 6. 5 V 條件下持續(xù)輸出 電流達(dá)到 1. 5 A ，峰值輸出電流達(dá)到 2 .5 A 。
該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計(jì)有芯片級(jí)溫度檢測電路，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部 溫度超過設(shè)定值時(shí)典型值 150 產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號(hào)，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到安全溫度后，才允許重新對(duì)功率管進(jìn)行控制。

三、應(yīng)用范圍
2 6 節(jié) AA/AAA 干電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
2 6 節(jié)鎳 氫 鎳 鎘充電電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
1 2 節(jié) 鋰電池供電的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
電子鎖