DIODES DMN3070SSN-7 SOT-23 絲印N70 N道溝MOS管場(chǎng)效應(yīng)管
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DIODES-DMN3070SSN-7-SOT-23-絲印N70

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商品介紹
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品牌 DIODES
封裝 SOT-23
型號(hào) DMN3070SSN-7
批號(hào) 2021+
溝道類型 N溝道
種類 場(chǎng)效應(yīng)管
封裝外形 表貼
FET類型 N溝道
漏源電壓(Vdss) 30V
漏極電流(Id) 4.2A
漏源導(dǎo)通電阻(RDS On) 40 毫歐
柵源電壓(Vgs) 15V
柵極電荷(Qg) 13.2nC @ 10V
反向恢復(fù)時(shí)間 13.2nC
最大耗散功率 780
配置類型 MOSFET 金屬氧化物
工作溫度范圍 -55°C -150°C
安裝類型 表面貼裝
應(yīng)用領(lǐng)域 3C數(shù)碼,醫(yī)療電子,物聯(lián)網(wǎng)IoT,新能源,軍工/航天,安防設(shè)備,家用電器,智能家居,廣電教育,照明電子,測(cè)量儀器,可穿戴設(shè)備,汽車電子,網(wǎng)絡(luò)通信
包裝 3000/盤
數(shù)量 18000
商品介紹

 

DMN3070SSN-7 SOT-23 絲印N70 30V 4.2A N道溝MOS管場(chǎng)效應(yīng)管

 

型號(hào):DMN3070SSN-7
包裝:3000/盤
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族:晶體管FET MOSFET 單
FET類型:N溝道
技術(shù):MOSFET 金屬氧化物
漏源電壓:30V
連續(xù)漏電流:4.2A
驅(qū)動(dòng)電壓:4.5V-10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On:40 毫歐 @ 4.2A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th):2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵電荷:13.2nC @ 10V
Vgs:±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容:697pF @ 15V
功率耗散:780mW
工作溫度:-55°C -150°C
封裝:SOT-23-3

 

 

DMN3070SSN (4)

DMN3070SSN (3)

 

 

 

 

 

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公司名稱 深圳市科沅電子有限公司
聯(lián)系賣家 蘇柯 (QQ:852559412)
電話 钺钵钼钼-钻钹钼钷钺钳钷钸
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傳真 钺钵钼钼-钹钶钴钸钷钳钷钻
網(wǎng)址 http://mzs.b2b168.com/
地址 廣東省深圳市