KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
? 水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
? 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
? 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
? 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
? 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域
?  離子輔助鍍膜 IAD
?  預(yù)清洗 Load lock preclean
?  預(yù)清洗 In-situ preclean
?  Direct Deposition
?  Surface Modification
?  Low-energy etching
?  III-V Semiconductors
?  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.

若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生                               臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!