鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
主營產(chǎn)品: 分子束外延薄膜生長設(shè)備MBE, 物理氣相沉積(PVD), 化學(xué)氣相沉積(CVD), 熱絲CVD金剛石制備設(shè)備, 真空系列
鵬城半導(dǎo)體-高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)-PC-004
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廣東省深圳市
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)(電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī))是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導(dǎo)電薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點(diǎn)材料。
可用于生產(chǎn)、科學(xué)實(shí)驗(yàn)及教學(xué),可根據(jù)用戶要求專門訂制。
可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動控制及光學(xué)膜厚自動控制兩種方式, 通過PLC 和工控機(jī)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對整個(gè)鍍膜過程的全程自動控制, 包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。
設(shè)備特點(diǎn)
設(shè)備具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便的特點(diǎn),配備 E 型電子束蒸發(fā)源和電阻蒸發(fā)源。PID自動控溫,具有成膜均勻、放氣量小和溫度均勻的優(yōu)點(diǎn)。
可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動控制及光學(xué)膜厚自動控制兩種方式,通過PLC和工控機(jī)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對整個(gè)鍍膜過程的全程自動控制,包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。
真空性能
極限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa
設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí),≤10Pa
恢復(fù)工作真空時(shí)間短,大氣至7×10-4Pa≤30分鐘;
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)(電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī))設(shè)備構(gòu)成
E 型電子束蒸發(fā)槍、電阻熱蒸發(fā)源組件(可選配)、樣品掩膜擋板系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)及真空測量系統(tǒng)、分子泵真空機(jī)組或低溫泵真空機(jī)組、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、樣品傳遞機(jī)構(gòu),膜厚控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、恒溫冷卻水系統(tǒng)等組成。
可選件:膜厚監(jiān)控儀,恒溫制冷水箱。
熱蒸發(fā)源種類及配置
項(xiàng)目 | 參數(shù) | 備注 |
---|---|---|
E 型電子束蒸發(fā)系統(tǒng) | 1套 | |
功率 | 6kW~10kW | 其它功率(可根據(jù)用戶要求選配) |
坩堝 | 1~8只 | 可根據(jù)用戶要求選配 |
電阻熱蒸發(fā)源組件 | 1~4套 | (可根據(jù)用戶要求配裝) |
電阻熱蒸發(fā)源種類
-鉭(鎢或鉬)金屬舟熱蒸發(fā)源組件
-石英舟熱蒸發(fā)源組件
-鎢極或鎢藍(lán)熱蒸發(fā)源組件
-鉭爐熱蒸發(fā)源組件(配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝)
-束源爐熱蒸發(fā)組件(配石英坩堝或氮化硼坩堝)
操作方式
手動、半自動