PECVD（等離子體增強化學的氣相沉積）設(shè)備主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術(shù)，是沉積高質(zhì)量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設(shè)備。

設(shè)備用途和功能特點

1、該設(shè)備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設(shè)備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2設(shè)備保護功能強，具備真空系統(tǒng)檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。

3. 配置尾氣處理裝置。

單室PECVD設(shè)備/控制系統(tǒng)

五室PECVD設(shè)備

六室太陽能薄膜電池設(shè)備PECVD+磁控濺射

設(shè)備安全性設(shè)計

1、電力系統(tǒng)的檢測與保護

2、設(shè)置真空檢測與報警保護功能

3、溫度檢測與報警保護

4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報警保護

設(shè)備技術(shù)指標

工作條件

 關(guān)于鵬城半導體

鵬城半導體技術(shù)（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體），由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿與市場前沿的交叉點，尋求創(chuàng)新引領(lǐng)與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是微納技術(shù)與高端精密制造，具體應用領(lǐng)域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設(shè)計和生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結(jié)構(gòu)完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術(shù)研究和半導體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備先進的半導體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設(shè)備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機，激光沉積設(shè)備PLD

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設(shè)備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設(shè)備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設(shè)備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設(shè)備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設(shè)備、磁性薄膜設(shè)備、電極制備設(shè)備

|真空鍍膜機專用電源/真空鍍膜機控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團隊部分業(yè)績分布

完全自主設(shè)計制造的分子束外延（MBE）設(shè)備，包括自主設(shè)計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關(guān)鍵部件。真空度達到2×10^-8Pa。

設(shè)備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設(shè)計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術(shù)聯(lián)合系統(tǒng)，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設(shè)計制造了金剛石薄膜制備設(shè)備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設(shè)備?，F(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設(shè)計制造了全自動磁控濺射設(shè)備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設(shè)計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設(shè)計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設(shè)計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術(shù)研究中心。

設(shè)計制造了磁控濺射研究型設(shè)備?，F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所。

設(shè)計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設(shè)備。現(xiàn)使用單位武漢理工大學。

團隊在第三代半導體裝備及工藝方面的技術(shù)積累

2001年    與南昌大學合作

設(shè)計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

2005年    與浙江大學光學儀器國家重點實驗室合作

設(shè)計制造了第一臺完全自主知識產(chǎn)權(quán)的分子束外延設(shè)備，用于外延光電半導體材料。

2006年    與中國科技大學合作

設(shè)計設(shè)計超高溫CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生長。

2007年    與蘭州大學物理學院合作

設(shè)計制造了光學級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）。

2015年    中科院金屬研究所沈陽材料科學國家（聯(lián)合）實驗室合作

設(shè)計制造了金剛石薄膜制備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜。

2017年

-優(yōu)化Rheed設(shè)計，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計。

-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進行設(shè)備工藝驗證。

2019年   設(shè)計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備。

2021年   MBE生產(chǎn)型設(shè)計。

2022年   大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。

2023年   PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關(guān)。