GaN on Si 8英寸硅基氮化鎵外延片廠家

作為GaN外延片生產(chǎn)廠商之一，恒邁瑞公司生長(zhǎng)供應(yīng)8英寸硅基氮化鎵外延片，涵蓋D-mode耗盡型結(jié)構(gòu)，E-mode增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)及RF結(jié)構(gòu)，采用高品質(zhì)1000um厚硅襯底材料,Si是當(dāng)今微電子技術(shù)的基石，它作為GaN材料的襯底有許多優(yōu)點(diǎn)，如晶體質(zhì)量高，尺寸大，易加工，良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性等。

但與藍(lán)寶石和碳化硅相比，在Si襯底上生長(zhǎng)GaN更為困難，因?yàn)檫@兩者之間的熱失配和晶格失配很大。熱失配大外延生長(zhǎng)結(jié)束后的降溫過(guò)程中，外延層將承受很大張應(yīng)力，由于外延層厚度很薄，會(huì)使GaN膜產(chǎn)生龜裂。這種低適配性導(dǎo)致硅上無(wú)法直接長(zhǎng)外延層，需要長(zhǎng)多道緩沖層來(lái)過(guò)渡，因此外延層質(zhì)量水平就比碳化硅基差不少，故而硅基氮化鎵只能用來(lái)做小功率射頻，中小功率.