PlasmaMS的質(zhì)譜干擾消除辦法
PlasmaMS 300的另一類主要干擾是質(zhì)譜干擾。
1.多原子干擾(Polyatomic) – 與目標(biāo)同位素原子質(zhì)量重合的多原子離子，所帶來的干擾
2. 同量異位素干擾(Isobaric) –與目標(biāo)同位素原子具有相同質(zhì)量數(shù)的原子帶來的干擾(目標(biāo) 原子與干擾原子的質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)都不同，但(質(zhì)子數(shù)+中子數(shù))相同)；也包括質(zhì)荷比相等 的不同元素離子形成的干擾。
多原子離子： 包括氬化合物、氫化物、氧化物
氬化合物的產(chǎn)率可以通過性能選項來降低：例如使用等離子體屏蔽環(huán)(PlasmaScreen)和 碰撞反應(yīng)池(CCT, Collision Cell Technology)。
這些干擾有時是氣體引起的：例如進(jìn)樣時候引入的空氣、用來維持等離子體燃燒的氬氣。 還有的來自于樣品基體中的陰離子或者陽離子。
氧化物的產(chǎn)率可以通過調(diào)諧來降低：炬管和霧化器的位置、氣體流速對氧化物產(chǎn)率的影響 是的?；w引起的干擾很多都是氧化物，尤其是樣品中的主量元素，會在距離主量元 素16個amu的位置產(chǎn)生一個氧化物的干擾峰。這樣的干擾普遍存在，并且隨著基體氧化 物沸點的升高，這樣的干擾更加嚴(yán)重。我們可以使用空白扣減來降低這樣的干擾。
同量異位素干擾: 這種干擾指的是，存在著和目標(biāo)元素原子質(zhì)量相同的干擾離子。要消除同量異位素干擾， 只能是盡可能選擇該元素的其它同位素來回避這樣的干擾。
還有一類特殊的同質(zhì)量干擾，如果干擾元素的二級電離電位(Isobaric interference)低于了 氬原子的一級電離電位(15.8ev)，這樣的元素原子在ICP中會形成雙電荷離子。對于雙電 荷離子的干擾，很難消除，但有的時候可以通過調(diào)諧來將干擾降低一些。如果可以的話， 通過更換更合適的同位素來解決。
如果用戶的目標(biāo)元素是單同位素元素時，例如As，此時就不能采用更換同位素的辦法來 避免干擾。As元素是比較典型的單同位素元素，同時面臨著普遍的多原子干擾(40Ar 35Cl)，一旦有氯元素的存在，就存在40Ar 35Cl的干擾。

PlasmaMS 300在金屬工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
痕量元素含量的變化對材料性能和生產(chǎn)控制有巨大影響。
PlasmaMS 300 PLASMAMS 300能在主要元素存在的條件下精確測定痕量元素，使用跳峰掃模式可以避 免主量元素、其氧化物、其雙電荷、其氫化物等的干擾，選擇同位素時應(yīng)注意避免基體離 子干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域：
在研發(fā)和專業(yè)化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域有較廣的范圍 高純陶瓷和化學(xué)品
金屬和玻璃 產(chǎn)品純度驗證

非質(zhì)譜干擾(物理干擾)是PlasmaMS 300中存在的兩種主要干擾中的一種。 非質(zhì)譜干擾主要包括： 1.質(zhì)譜內(nèi)沉積物：可以通過適當(dāng)?shù)那鍧嵍档汀?br>2.樣品基體：這種干擾有時候可通過不同的樣品制備方法或適合的性能選項來降低，如使 用超聲霧化器(ultrasonic nebulizer ,USN) 或者氬氣稀釋器(Argon Gas Dilution???) 。
有五種方法可以用來校正這種類型的干擾，按照從易到難的順序排列在下面：
1. 如果檢出限允許的話，簡單的辦法是對樣品進(jìn)行稀釋。
2. 使用內(nèi)標(biāo)校正
3. 使用標(biāo)準(zhǔn)加入法
4. 氬氣稀釋 (前提是需要使用ESI進(jìn)樣系統(tǒng))
5. 采用化學(xué)分離法將樣品中的基體進(jìn)行分離去除 非質(zhì)譜干擾(物理干擾)的存在有兩種表現(xiàn)形式：信號抑制、信號漂移。其中內(nèi)標(biāo)校正是使
用廣泛的用來校正物理干擾的技術(shù)手段。
在進(jìn)行多樣品序列分析時，內(nèi)標(biāo)可以用來校正隨著時間推移而發(fā)生的信號漂移。實驗室環(huán) 境變化、樣品基體變化、樣品粘度變化等因素都會引起信號的漂移。錐口鹽沉積也會引起 信號的漂移。
如果需要測量的元素覆蓋的質(zhì)量區(qū)間范圍很大 (例如方法中既包含高質(zhì)量元素，也包含中 質(zhì)量元素或輕質(zhì)量元素)，使用多種內(nèi)標(biāo)進(jìn)行校正。
在本章第三節(jié)(內(nèi)標(biāo)選擇)中已經(jīng)詳細(xì)介紹過內(nèi)標(biāo)的使用原則，用戶可以進(jìn)行參考。
標(biāo)準(zhǔn)加入法是另外一種廣泛使用的用來校正非質(zhì)譜干擾的手段。當(dāng)基體抑制效應(yīng)無法通過 稀釋或基體剝離來去除的時候，可以用標(biāo)準(zhǔn)加入法來降低干擾。

PlasmaMS 300儀器組成與工作原理
ICP-MS全稱電感耦合等離子體質(zhì)譜（Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)主要包括以下功能模塊：進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
圖2.1 PlasmaMS 300型結(jié)構(gòu)示意圖
其工作原理是：待測樣品通過進(jìn)樣系統(tǒng)進(jìn)入離子源部分，在被 ICP射頻電源離子化后，在接口及離子傳輸系統(tǒng)中通過聚焦、消除干擾后進(jìn)入四極桿質(zhì)量分析器，在其中離子將按照質(zhì)荷比（m/z）大小被分開，經(jīng)過聚焦后，達(dá)到檢測器。檢測器將不同質(zhì)荷比的離子流通過接收、測量及數(shù)據(jù)處理轉(zhuǎn)換成電信號經(jīng)放大、處理后得到分析結(jié)果。
2.2 主機(jī)部件
儀器主機(jī)的主要部件有：進(jìn)樣系統(tǒng)、ICP離子源、接口單元、離子傳輸系統(tǒng)、四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)、離子檢測及和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、整機(jī)控制系統(tǒng)與軟件系統(tǒng)。
進(jìn)樣系統(tǒng)包含蠕動泵、進(jìn)樣管排樣、霧化器、霧室、玻璃彎管、炬管；
ICP離子源包括包含功放箱、匹配箱；
接口單元包括接口、水腔、提取透鏡；
離子傳輸系統(tǒng)包括π透鏡、碰撞反應(yīng)池、透鏡組；
四級桿質(zhì)量分析系統(tǒng)包括四級桿、饋入件；
離子檢測及數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)主要包括電子倍增器、電子倍增器支架；
真空系統(tǒng)包括機(jī)械泵、2個分子泵、真空腔體、潘寧規(guī)；
整機(jī)控制系統(tǒng)包含各種控制電路模塊。
2.3 輔助裝置
智能溫控冷卻循環(huán)水箱是重要的輔助裝置，它冷卻接口、線圈、離子源和分子泵。
穩(wěn)壓電源是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電的電子裝置。當(dāng)電網(wǎng)電壓或負(fù)載出現(xiàn)瞬間波動時，穩(wěn)壓電源會以10ms~30ms的響應(yīng)速度對電壓幅值進(jìn)行補(bǔ)償，使其穩(wěn)定在±2%以內(nèi)。