PlasmaMS 300同位素選擇
有的元素只有一種同位素，因此被稱為單同位素元素。大多數(shù)的元素都有多種同位素供 選。.
多同位素元素(Multi-isotopic)
? Copper(Cu), selenium(Se), lead(Pb), mercury(Hg), erbium(Er), ytterbium(Yb), lutetium(Lu)
單同位素元素(Mono-isotopic)
? Beryllium(Be), sodium(Na), aluminum(Al), manganese(Mn), cobalt(Co), arsenic(As), bismuth(Bi), holmium(Ho), thulium(Tu)
當需要從多個供選同位素中選擇合適的同位素來對目標元素進行分析的時候，可以從以 下幾個方面進行考慮：
例如: 1.靈敏度或動態(tài)線性范圍是考慮的主要因素嗎?
如果需要優(yōu)先考慮靈敏度的話，絕大多數(shù)情況下，挑選相對豐度比的同位素是正確的
選擇。如果有的樣品中目標元素濃度高，有的目標元素濃度低，彼此之間濃度差異很大， 那么此時就需要優(yōu)先考慮擴展該元素的動態(tài)線性范圍，此時應當選擇相對豐度比較小的同 位素來進行檢測。
2.你的樣品中是否包含了會造成干擾的大量元素？ 有的時候，選擇豐度比的同位素反而達不到降低檢出限的目的，因為樣品基體成分中 可能含有別的干擾元素，對目標同位素造成了同位素干擾或多原子分子干擾。此時選擇另 一個雖然豐度比相對低一些但是不受干擾的同位素來進行測量才是正確的。基體干擾中比
較常見的是氧化物干擾?；w中的干擾同位素形成氧化物后，會直接影響質量數(shù)比它大
16的同位素的測定結果。

PlasmaMS 300 內標元素的選擇
內標元素的使用可以用來校正多樣品測定的過程中，信號隨著時間發(fā)生的漂移。實驗室環(huán) 境的變化或者樣品基體的變化（例如粘度等）都會造成信號的漂移。
對于任何的多元素分析，我們都推薦用戶至少使用一個內標元素。如果待測元素的質量分 布從低到高都有，應當至少使用3個內標元素，分別檢測低質量、中質量、高質量區(qū)段的 同位素信號漂移。
選擇什么同位素作為內標元素需要根據(jù)您的方法中的待測目標同位素來決定。當需要為您 方法中的各個目標同位素分配內標同位素的時候，可以考慮一下幾個因素：
1.首先考慮的，也是重要的一個因素就是：用作內標的元素必須是您的樣品中不包含的 元素。這些內標元素應當精準地添加到每一個單溶液里。一般我們可以單獨配置內標元素 溶液，然后在分析的時候進行在線添加，可以保證添加的精準性。內標元素的信號強度會 做為參比，由軟件來對每個單溶液進樣時發(fā)生的信號抑制或增強進行計算和校正。如果您 的樣品中含有內標元素，則內標信號會發(fā)生額外的不規(guī)則的信號增強，造成軟件校正后的 目標元素濃度比實際濃度偏低。
2.其次，內標元素的質量數(shù)能和目標元素比較接近，建議內標同位素和目標元素同位 素之間的質量差不要超過50amu。
3.為了確保內標元素和目標元素在相同條件下的行為表現(xiàn)基本一致，內標元素和目標元素 的電離電位比較接近。
當使用內標元素校正的時候，有兩種校正方式是可以供選擇的：
1. 參考法(Reference)
2. 插值法(Interpolation)
參考法：任何分析元素同位素峰均能以任一內標元素同位素峰作為參照。目標元素峰不需 要為內標元素附近的峰。當使用參考法的時候，以校正空白(calibration blank)的內標響應 值作為100%，通過計算樣品中內標元素的回收率，來校正進樣過程中的信號漂移。
樣品中的內標元素回收率（相對于calibration blank中的100%而產(chǎn)生的偏離）會被用作校 正因子來校正目標同位素的數(shù)據(jù)（每種目標同位素所使用的內標同位素都應是其在方法中 選擇的用來參考的那一個內標同位素）
插補法：內標對測試峰的影響與兩者質量數(shù)的接近程度有關。一個分析元素若置于兩內標 物中間，可依據(jù)每個 amu 基數(shù)進行計算因素的校正。
首先：
IS 1 in Blank set to 100% IS 2 in Blank set to 100%
IS 2 的質量數(shù)大于 IS 1。
如果
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 80%
我們可以認為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了 20%的抑制. Factor =1/80% = 1.25.
又如：
IS 1 in Sample reads 80%
IS 2 in Sample reads 60%
我們可以認為 IS 1 &2 之間的所有元素都受到了與質量變化相關的抑制（質量數(shù)越大，受
到抑制越強），距離 IS1 與 IS2 的距離相等的質量數(shù)的元素， Factor =1/70% = 1.43.
上圖顯示的就是使用iCAP Q測量時，設置了一系列覆蓋質量數(shù)區(qū)間的內標元素，計算樣 品中的內標元素回收率：
6Li 45Sc 115In 209Bi
因為所有的目標元素濃度都需要使用內標回收率來進行校正,建議用戶將內標元素的濃度 控制在一個合理范圍，來降低內標的%RSD，一般說來我們建議內標元素的
icps >100,000。

PlasmaMS的質譜干擾消除辦法
PlasmaMS 300的另一類主要干擾是質譜干擾。
1.多原子干擾(Polyatomic) – 與目標同位素原子質量重合的多原子離子，所帶來的干擾
2. 同量異位素干擾(Isobaric) –與目標同位素原子具有相同質量數(shù)的原子帶來的干擾(目標 原子與干擾原子的質子數(shù)和中子數(shù)都不同，但(質子數(shù)+中子數(shù))相同)；也包括質荷比相等 的不同元素離子形成的干擾。
多原子離子： 包括氬化合物、氫化物、氧化物
氬化合物的產(chǎn)率可以通過性能選項來降低：例如使用等離子體屏蔽環(huán)(PlasmaScreen)和 碰撞反應池(CCT, Collision Cell Technology)。
這些干擾有時是氣體引起的：例如進樣時候引入的空氣、用來維持等離子體燃燒的氬氣。 還有的來自于樣品基體中的陰離子或者陽離子。
氧化物的產(chǎn)率可以通過調諧來降低：炬管和霧化器的位置、氣體流速對氧化物產(chǎn)率的影響 是的?；w引起的干擾很多都是氧化物，尤其是樣品中的主量元素，會在距離主量元 素16個amu的位置產(chǎn)生一個氧化物的干擾峰。這樣的干擾普遍存在，并且隨著基體氧化 物沸點的升高，這樣的干擾更加嚴重。我們可以使用空白扣減來降低這樣的干擾。
同量異位素干擾: 這種干擾指的是，存在著和目標元素原子質量相同的干擾離子。要消除同量異位素干擾， 只能是盡可能選擇該元素的其它同位素來回避這樣的干擾。
還有一類特殊的同質量干擾，如果干擾元素的二級電離電位(Isobaric interference)低于了 氬原子的一級電離電位(15.8ev)，這樣的元素原子在ICP中會形成雙電荷離子。對于雙電 荷離子的干擾，很難消除，但有的時候可以通過調諧來將干擾降低一些。如果可以的話， 通過更換更合適的同位素來解決。
如果用戶的目標元素是單同位素元素時，例如As，此時就不能采用更換同位素的辦法來 避免干擾。As元素是比較典型的單同位素元素，同時面臨著普遍的多原子干擾(40Ar 35Cl)，一旦有氯元素的存在，就存在40Ar 35Cl的干擾。

PlasmaMS 300在環(huán)境領域的應用
在環(huán)境應用領域(監(jiān)控環(huán)境中微量和有毒元素)中，PLASMAMS 300是近年來增長快的應用技術 手段。 該應用的關鍵是：根據(jù)相關法規(guī)，必須對水、土壤、淤泥以及其他重要的環(huán)境物質中的一 系列元素進行檢測，并且這些元素含量都在接近ppb級別。
在環(huán)境行業(yè)應用中，的挑戰(zhàn)是：用同樣的分析方法來分析不同基體的樣品。在這種情 況下，是在用PLASMAMS 300檢測之前對樣品基體進行分離。
分離技術近幾年在環(huán)境樣品分析中運用很多。具體方法就是：將iCAP Q與可以分離目 標元素氧化物的附件(一般為色譜，例如LC或GC)偶聯(lián)。
應用領域：
自來水檢測和水污染監(jiān)測 廢水中有毒元素和低水平錒系元素測定
環(huán)境污染物中同位素識別和定量