雙向觀測Plasma3000 鋼研納克ICP光譜儀
Plasma3000型雙向觀測全譜電感耦合等離子體光譜儀是鋼研納克在多年原子光譜領域的積淀下，聽取分析檢測領域各界專業(yè)意見，專為分析檢測實驗室打造的更全面更穩(wěn)定更科學的多元素無機分析設備。通過在Plasma2000的基礎上進行大刀闊斧的改造升級，采用全球前沿技術，使得Plasm3000型ICP-OES更小巧，更穩(wěn)定，更高效，標志著國產全譜ICP邁入高端市場。Plasma3000擁有：
1、 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，徑向和軸向觀測接口設計，具有強健的檢測能力。
2、 垂直火炬，雙向觀測，冷錐消除尾焰，地降低自吸效應及電離干擾，從而獲得更寬的動態(tài)線性范圍和更低的背景，保證了準確的測量結果。
3、 高效穩(wěn)定的自激式固態(tài)射頻發(fā)生器，體積小巧，匹配速度快，確保儀器的高精度運行及優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。
4、 高速面陣CCD采集技術，單次曝光獲取全部譜線信息，真正實現“全譜直讀”。
5、 功能強大的軟件系統(tǒng)，簡化分析方法的開發(fā)過程，為用戶量身打造簡潔、舒適的操作體驗。
可廣泛應用于冶金、地質、材料、環(huán)境、食品、醫(yī)藥、石油、化工、生物、水質等各領域的元素分析。

Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測定工業(yè)硅中雜質元素含量
關鍵詞
Plasma 3000，Plasma 2000，工業(yè)硅，耐氫氟酸進樣系統(tǒng)
國家產品標準GB/T2881-2014《工業(yè)硅》中規(guī)定，檢測工業(yè)硅中雜質元素采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測定。本實驗參照標準GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學分析方法第四部分：雜質元素含量測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》測定工業(yè)硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對工業(yè)硅樣品進行對比測試，檢測結果與客戶化學法基本一致。
儀器特點
Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（鋼研納克檢測技術股份有限公司）是使用方便、操作簡單、測試快速的全譜ICP-OES分析儀，具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。
Plasma3000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器，超高穩(wěn)定光源；
? 大面積背照式CCD芯片，寬動態(tài)范圍；
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，體積小巧；
? 多元素同時分析，全譜瞬態(tài)直讀。
? 多種進樣系統(tǒng)，可選擇性好；
? 垂直炬管，雙向觀測，檢出限更加理想；
Plasma2000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器，超高穩(wěn)定光源；
? 大面積背照式CCD芯片，寬動態(tài)范圍；
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，體積小巧；
? 多元素同時分析，全譜瞬態(tài)直讀；
? 多種進樣系統(tǒng)，可選擇性好；
? 垂直炬管水平觀測，耐鹽性更佳。
樣品前處理
1. Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Ni、Mn、P、Na、Ti含量測定：
? 稱取1g樣品，放置于250mL聚四氟乙烯燒杯，用少許水清洗杯壁并潤濕樣品；
? 分次加入15mL～20mL氫氟酸，待反應停止后加滴加硝酸至樣品完全溶解，然后加入3mL高氯酸，加熱冒高氯酸煙，待高氯酸白煙冒盡，取下冷卻。
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸，用少許水洗杯壁，加熱使殘渣完全溶解，冷卻至室溫，轉移至50mL塑料容量瓶中，用水稀釋至刻度，搖勻；
? 隨同做空白實驗。
2. B含量測定
? 稱取1g樣品，放置于250mL聚四氟乙烯燒杯，用少許水清洗杯壁并潤濕樣品；
? 分次加入15mL～20mL氫氟酸，待反應停止后，滴加硝酸至樣品完全溶解，過量1mL，待反應停止后，加熱至近干（控制溫度低于140℃），取下冷卻；
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸低溫溶解殘渣（溫度低于80℃），待樣品完全溶解后，冷卻至室溫，轉移至50mL塑料容量瓶中，用水稀釋至刻度，搖勻。
? 隨同做空白實驗。
注：
1) 工業(yè)硅中有些元素含量超低，使用試劑和水需要高純，器皿清潔；
2) 標準溶液配置時注意介質干擾，建議P、Na、B單獨配置；
3) 測量時，采用耐氫氟酸進樣系統(tǒng)；
4) 樣品溶解時，氫氟酸用量較大，注意器皿采用聚四氟乙烯和塑料；
標準曲線配置
標準溶液配置時，可以先配置100μg/mL混合標準溶液，配置時按下表1加入體積數配置曲線。
表1 標準曲線配置
注：
1) 標準溶液配置時注意介質干擾，建議P、Na、B單獨配置，濃度梯度同上表；
2) 配置曲線時，酸度和樣品保持一致；
元素分析譜線
實驗考慮各待測元素譜線之間的干擾及基體干擾，并選擇合適的扣背景位置，經實驗，本文選擇分析譜線如下表2所示。
表2 各元素分析譜線及線性系數
測試結果
1. 標準樣品測試結果、精密度與回收率
按照方法，測試了標準樣品金屬硅FjyJ0401，同時加入100微克做回收率實驗，實驗結果如表3所示?；厥章试?8.75%～106.93%，結果令人滿意。
表3 實驗結果、精密度和回收率(n=11)
2. 樣品比對實驗
采用Plasma2000型和Plasma3000型儀器測量客戶考察樣品，與客戶化學法比對，結果如表4所示。通過比對，儀器測定值與化學法基本一致。
表4 結果比對
注：“-” 客戶未提供化學法檢測數據
結論
使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業(yè)硅中雜質元素分析問題，完全滿足國家標準GB/T2881-2014《工業(yè)硅》和GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學分析方法第四部分：雜質元素含量測定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》要求。

鋼研納克雙向觀測Plasma 3000 ICP光譜儀分光系統(tǒng)
Plasma 3000ICP光譜儀采用徑向觀測與軸向觀測設計，適應亞ppm到高含量的元素測量。 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，使用CaF2棱鏡，提高光路傳輸效率。 優(yōu)化的光學設計，采用非球面光學元件，改善成像質量，提高光譜采集效率。 光室氣體氛圍保持技術，縮短光室充氣時間，提高紫外光譜靈敏度及穩(wěn)定性，開機即可測量。 包圍式立體控溫系統(tǒng)，保障光學系統(tǒng)長期穩(wěn)定無漂移。
光源
固態(tài)射頻發(fā)生器，高效穩(wěn)定，體積小巧，效率高，匹配速度快，鋼研納克Plasma 3000 ICP光譜儀能適應各種復雜基體樣品及揮發(fā)性有機溶劑的測試，均能獲得優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。 垂直炬管的設計，具有更好的樣品耐受性，減少了清潔需求，降低了備用炬管的消耗。 冷錐消除尾焰技術，地降低自吸效應和電離干擾，從而獲得更寬的動態(tài)線性范圍和更 低的背景，保證準確的測量結果。 具有綠色節(jié)能待機模式，待機時降低輸出功率，減小氣體流量，僅維持等離子體運行，節(jié)約使用成本。
簡潔的炬管安裝定位設計，快速定位，精確的位置重現。 實時監(jiān)控儀器運行參數，高性能CAN工業(yè)現場總線，保障通訊高效可靠。
進樣系統(tǒng)
簡潔的炬管安裝設計，自動定位炬管位置，精確的位置重現。鋼研納克Plasma 3000 ICP光譜儀配備系列經過優(yōu)化的進樣系統(tǒng)，可用于有機溶劑、高鹽/復雜基體樣品、含氫氟酸（HF） 等樣品的測試。
使用可拆卸式或一體式炬管，易于維護，轉換快速，使用成本低。Plasma 3000 ICP光譜儀使用質量流量控制器控制冷卻氣、輔助氣和載氣的流量，保障測試性能長期穩(wěn)定。 多通道12滾輪蠕動泵，提升樣品導入穩(wěn)定性。
檢測器
大面積背照式CCD檢測器,全譜段響應，高紫外量子化效率，抗飽和溢出，具有極寬的動態(tài)范 圍和極快的信號處理速度。 一次曝光，完成全譜光譜信號的采集讀取，從而獲得更為快速、準確的分析結果。Plasma 3000 ICP光譜儀具有同類產品中靶面尺寸，百萬級像素，單像素面積24μm X 24μm，三級半導體制冷,制冷溫 度 低，具有更低的噪聲和更好的穩(wěn)定性。
軟件系統(tǒng)
人性化的界面設計，流暢易懂，簡便易用，針對分析應用優(yōu)化的軟件系統(tǒng)，無須復雜的方法開發(fā)， 即可快速開展分析操作。
豐富的譜線庫，智能提示潛在干擾元素，幫助用戶合理選擇分析譜線。 輕松的觀測方式設置，直觀的測試結果顯示。
安全防護
全方位電磁屏蔽，減少電磁輻射 連鎖門保護，避免用戶誤操作可能帶來的風險 防紫外觀測窗

目前ICP光譜儀主要分為多道型、單道掃描型以及全譜直讀型，其中多道型和單道掃描型代表的是80年代的技術水平，它們以光電倍增管為檢測器，技術上非常成熟，但也較落后，其中多道型已幾乎退出歷史舞臺，單道掃描型以其合適的價格和靈活方便仍占有一定的市場份額。全譜直讀型儀器代表了當今ICP的新技術水準，它以CID或CCD(SCD)半導體器件為檢測器；中階梯光柵結合棱鏡(或平面光柵)構成二維、高分辯率、高能量色散系統(tǒng)，能同時獲得各元素譜線的信息。此類型儀器經近十年的不斷完善和發(fā)展，目前已成為ICP光譜儀的主流。