隨著使用時間的推移，光室、光學(xué)器件會發(fā)生非常微小的形變，就是這些微小的形變都會引起光路細(xì)微的漂移，從而導(dǎo)致儀器測試精度和準(zhǔn)確度的改變，而且這個漂移會隨著時間的延遲表現(xiàn)的越來越明顯，如果要再次提高儀器的性能就需要人為的調(diào)整參數(shù)來修正這部分漂移，從而改善光譜儀的性能。

光電光譜分析選用的分析線，必需符合下列要求。
直讀光譜分析時，一般都采用內(nèi)標(biāo)法。因內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行分析時常采用多條分析線和一條內(nèi)標(biāo)線組成，常用試料中的基體元素為內(nèi)標(biāo)元素。組成的線對要求均稱，就是當(dāng)激發(fā)光源有波動時，兩條線對的譜線強(qiáng)度雖有變化，但強(qiáng)度比或相對強(qiáng)度能保持不變。
如R表示強(qiáng)度比即 R=I1/I0
I1為分析線的強(qiáng)度，Io為內(nèi)標(biāo)線強(qiáng)度，表明I1和Io同時變，而R則不受影響。R與含量C之間有線性關(guān)系。
在光電直讀光譜分析時，有很多分析通道，要安裝許多內(nèi)標(biāo)通道有困難，因此采用一個內(nèi)標(biāo)線。但有人認(rèn)為再要提高光電光譜分析的準(zhǔn)確度還得采用不同的內(nèi)標(biāo)線，這還有待于光電轉(zhuǎn)換元件的小型化來解決。
光電法時，有時還用內(nèi)標(biāo)線來控制曝光量，稱為自動曝光，也就是樣品在曝光時，分析線和內(nèi)標(biāo)分別向各自積分電容充電，當(dāng)內(nèi)標(biāo)線的積分電容器充電達(dá)到某一預(yù)定的電壓時，自動截止曝光。此時分析線的積分電容器充電達(dá)到的電壓即代表分析線的強(qiáng)度I，并且亦即代表分析線的強(qiáng)度比R(因?yàn)镽=I1/Io，而此時Io保持常數(shù))這個強(qiáng)度I或強(qiáng)度比R就由測光讀數(shù)所表示。
現(xiàn)在一般采用計時曝光法較為普遍。

鋼研納克Spark 8000 全譜火花直讀光譜儀采用高分辨率線陣CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）作為檢測器，CMOS 檢測儀器集成性高、讀取速度更快、功耗低、長期穩(wěn)定性更高；每個像素自帶放大器，可對特殊元素進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)整，增加儀器的準(zhǔn)確度，降低分析限，實(shí)現(xiàn)全譜掃描。采用智能控制光室充氣系統(tǒng)，儀器性能更穩(wěn)定，服務(wù)期限更長久。海量的譜線使分析不再受限，曲線分段跳轉(zhuǎn)同一元素不同譜線間實(shí)現(xiàn)無縫銜接，拓展分析范圍第三元素干擾校正使元素分析更加準(zhǔn)確，可以在用戶現(xiàn)場任意增加材料基體和分析元素而無需增加硬件，維護(hù)保養(yǎng)方便。能量、頻率連續(xù)可調(diào)全數(shù)字固態(tài)光源，適應(yīng)各種不同材料；網(wǎng)口采集傳輸，速度快，通用性更強(qiáng)。

從事直讀光譜儀的這些年里，經(jīng)常會碰到客戶問：為什么直讀光譜儀需要配置標(biāo)準(zhǔn)樣品？直讀光譜儀不是直接測量產(chǎn)品就應(yīng)該很準(zhǔn)確的嗎？為什么還需要標(biāo)準(zhǔn)樣品去校準(zhǔn)？等等一系列問題。這些問題都涉及到標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，針對這些問題，想和大家分享一下關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的知識。
在日常生產(chǎn)過程、實(shí)驗(yàn)研究、科學(xué)探索等各行各業(yè)，其實(shí)我們都能見到人們運(yùn)用各種各樣的儀器儀表、測量用具。那么怎樣保證和衡量這些設(shè)備是否可靠精確的運(yùn)行，這其中必然會有一個標(biāo)準(zhǔn)的參照物來做參考和對比，那么這個參照物也可以簡單的定義為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。
標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（RM）是具有一種或多種足夠均勻和很好的確定了特性，用以校準(zhǔn)測量裝置、評價測量方法或材料賦值的一種材料或物質(zhì)。 注：一種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)可以是純的或者混合的氣體、液體或固體。