
鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
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鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
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主營(yíng)產(chǎn)品: ICP光譜儀,電感耦合等離子體質(zhì)譜儀,電感耦合等離子體光譜儀,ICPOES
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鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
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icp直讀光譜儀 鋼研納克單道ICP 35年方法開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn) 鋼研納克 鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司
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商品參數(shù)
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商品介紹
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溫度控制 控溫0.1度以內(nèi)
檢測(cè)器類(lèi)型 大面積CCD光譜儀
測(cè)試范圍 165nm-950nm
光源類(lèi)型 固態(tài)光源
品牌 鋼研納克
商品介紹
目前ICP光譜儀主要分為多道型、單道掃描型以及全譜直讀型,其中多道型和單道掃描型代表的是80年代的技術(shù)水平,它們以光電倍增管為檢測(cè)器,技術(shù)上非常成熟,但也較落后,其中多道型已幾乎退出歷史舞臺(tái),單道掃描型以其合適的價(jià)格和靈活方便仍占有一定的市場(chǎng)份額。全譜直讀型儀器代表了當(dāng)今ICP的新技術(shù)水準(zhǔn),它以CID或CCD(SCD)半導(dǎo)體器件為檢測(cè)器;中階梯光柵結(jié)合棱鏡(或平面光柵)構(gòu)成二維、高分辯率、高能量色散系統(tǒng),能同時(shí)獲得各元素譜線的信息。此類(lèi)型儀器經(jīng)近十年的不斷完善和發(fā)展,目前已成為ICP光譜儀的主流。

鋼研納克Plasma 1000 單道掃描ICP光譜儀
1. 光路形式:Czerny-Turner型 單道掃描ICP光譜儀
2. 光室恒溫:(30±0.2)℃
3. 光柵類(lèi)型:離子刻蝕全息平面光柵
4. 分辨率:不大于0.007nm
5. 刻線密度:3600g/mm
6. 高頻發(fā)生器震蕩頻率:40.68MHz 功率穩(wěn)定度:0.1%(長(zhǎng)期25℃典型值)
7. 震蕩類(lèi)型:自激式
8. 進(jìn)樣方式:蠕動(dòng)泵進(jìn)樣 配有多種霧室(旋流霧室、雙筒霧室和耐氫氟酸霧室)
9. 霧化器:同心霧化器
10. 重復(fù)性:RSD ≤1.0%
11. 穩(wěn)定性:RSD ≤2.0%(2小時(shí))
12. 冷卻氣:10-20L/min
13. 輔助氣:0-1.5 L/min
14. 載氣:0.4-1L/min
15. 尺寸:1550mm×759mm×1340mm(長(zhǎng)×寬×高)
16. 重量:240公斤

Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量
關(guān)鍵詞
Plasma 3000,Plasma 2000,工業(yè)硅,耐氫氟酸進(jìn)樣系統(tǒng)
國(guó)家產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)GB/T2881-2014《工業(yè)硅》中規(guī)定,檢測(cè)工業(yè)硅中雜質(zhì)元素采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定。本實(shí)驗(yàn)參照標(biāo)準(zhǔn)GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法第四部分:雜質(zhì)元素含量測(cè)定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》測(cè)定工業(yè)硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對(duì)工業(yè)硅樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,檢測(cè)結(jié)果與客戶化學(xué)法基本一致。
儀器特點(diǎn)
Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司)是使用方便、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試快速的全譜ICP-OES分析儀,具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。
Plasma3000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
? 大面積背照式CCD芯片,寬動(dòng)態(tài)范圍;
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),體積小巧;
? 多元素同時(shí)分析,全譜瞬態(tài)直讀。
? 多種進(jìn)樣系統(tǒng),可選擇性好;
? 垂直炬管,雙向觀測(cè),檢出限更加理想;
Plasma2000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
? 大面積背照式CCD芯片,寬動(dòng)態(tài)范圍;
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),體積小巧;
? 多元素同時(shí)分析,全譜瞬態(tài)直讀;
? 多種進(jìn)樣系統(tǒng),可選擇性好;
? 垂直炬管水平觀測(cè),耐鹽性更佳。
樣品前處理
1. Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Ni、Mn、P、Na、Ti含量測(cè)定:
? 稱取1g樣品,放置于250mL聚四氟乙烯燒杯,用少許水清洗杯壁并潤(rùn)濕樣品;
? 分次加入15mL~20mL氫氟酸,待反應(yīng)停止后加滴加硝酸至樣品完全溶解,然后加入3mL高氯酸,加熱冒高氯酸煙,待高氯酸白煙冒盡,取下冷卻。
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸,用少許水洗杯壁,加熱使殘?jiān)耆芙?,冷卻至室溫,轉(zhuǎn)移至50mL塑料容量瓶中,用水稀釋至刻度,搖勻;
? 隨同做空白實(shí)驗(yàn)。
2. B含量測(cè)定
? 稱取1g樣品,放置于250mL聚四氟乙烯燒杯,用少許水清洗杯壁并潤(rùn)濕樣品;
? 分次加入15mL~20mL氫氟酸,待反應(yīng)停止后,滴加硝酸至樣品完全溶解,過(guò)量1mL,待反應(yīng)停止后,加熱至近干(控制溫度低于140℃),取下冷卻;
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸低溫溶解殘?jiān)囟鹊陀?0℃),待樣品完全溶解后,冷卻至室溫,轉(zhuǎn)移至50mL塑料容量瓶中,用水稀釋至刻度,搖勻。
? 隨同做空白實(shí)驗(yàn)。
注:
1) 工業(yè)硅中有些元素含量超低,使用試劑和水需要高純,器皿清潔;
2) 標(biāo)準(zhǔn)溶液配置時(shí)注意介質(zhì)干擾,建議P、Na、B單獨(dú)配置;
3) 測(cè)量時(shí),采用耐氫氟酸進(jìn)樣系統(tǒng);
4) 樣品溶解時(shí),氫氟酸用量較大,注意器皿采用聚四氟乙烯和塑料;
標(biāo)準(zhǔn)曲線配置
標(biāo)準(zhǔn)溶液配置時(shí),可以先配置100μg/mL混合標(biāo)準(zhǔn)溶液,配置時(shí)按下表1加入體積數(shù)配置曲線。
表1 標(biāo)準(zhǔn)曲線配置
注:
1) 標(biāo)準(zhǔn)溶液配置時(shí)注意介質(zhì)干擾,建議P、Na、B單獨(dú)配置,濃度梯度同上表;
2) 配置曲線時(shí),酸度和樣品保持一致;
元素分析譜線
實(shí)驗(yàn)考慮各待測(cè)元素譜線之間的干擾及基體干擾,并選擇合適的扣背景位置,經(jīng)實(shí)驗(yàn),本文選擇分析譜線如下表2所示。
表2 各元素分析譜線及線性系數(shù)
測(cè)試結(jié)果
1. 標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試結(jié)果、精密度與回收率
按照方法,測(cè)試了標(biāo)準(zhǔn)樣品金屬硅FjyJ0401,同時(shí)加入100微克做回收率實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表3所示?;厥章试?8.75%~106.93%,結(jié)果令人滿意。
表3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果、精密度和回收率(n=11)
2. 樣品比對(duì)實(shí)驗(yàn)
采用Plasma2000型和Plasma3000型儀器測(cè)量客戶考察樣品,與客戶化學(xué)法比對(duì),結(jié)果如表4所示。通過(guò)比對(duì),儀器測(cè)定值與化學(xué)法基本一致。
表4 結(jié)果比對(duì)
注:“-” 客戶未提供化學(xué)法檢測(cè)數(shù)據(jù)
結(jié)論
使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業(yè)硅中雜質(zhì)元素分析問(wèn)題,完全滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2881-2014《工業(yè)硅》和GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法第四部分:雜質(zhì)元素含量測(cè)定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》要求。

雙向觀測(cè)Plasma3000 鋼研納克ICP光譜儀
Plasma3000型雙向觀測(cè)全譜電感耦合等離子體光譜儀是鋼研納克在多年原子光譜領(lǐng)域的積淀下,聽(tīng)取分析檢測(cè)領(lǐng)域各界專(zhuān)業(yè)意見(jiàn),專(zhuān)為分析檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室打造的更全面更穩(wěn)定更科學(xué)的多元素?zé)o機(jī)分析設(shè)備。通過(guò)在Plasma2000的基礎(chǔ)上進(jìn)行大刀闊斧的改造升級(jí),采用全球前沿技術(shù),使得Plasm3000型ICP-OES更小巧,更穩(wěn)定,更高效,標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)全譜ICP邁入高端市場(chǎng)。Plasma3000擁有:
1、 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),徑向和軸向觀測(cè)接口設(shè)計(jì),具有強(qiáng)健的檢測(cè)能力。
2、 垂直火炬,雙向觀測(cè),冷錐消除尾焰,地降低自吸效應(yīng)及電離干擾,從而獲得更寬的動(dòng)態(tài)線性范圍和更低的背景,保證了準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。
3、 高效穩(wěn)定的自激式固態(tài)射頻發(fā)生器,體積小巧,匹配速度快,確保儀器的高精度運(yùn)行及優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
4、 高速面陣CCD采集技術(shù),單次曝光獲取全部譜線信息,真正實(shí)現(xiàn)“全譜直讀”。
5、 功能強(qiáng)大的軟件系統(tǒng),簡(jiǎn)化分析方法的開(kāi)發(fā)過(guò)程,為用戶量身打造簡(jiǎn)潔、舒適的操作體驗(yàn)。
可廣泛應(yīng)用于冶金、地質(zhì)、材料、環(huán)境、食品、醫(yī)藥、石油、化工、生物、水質(zhì)等各領(lǐng)域的元素分析。

鋼研納克Plasma 1000 單道掃描ICP光譜儀
1. 光路形式:Czerny-Turner型 單道掃描ICP光譜儀
2. 光室恒溫:(30±0.2)℃
3. 光柵類(lèi)型:離子刻蝕全息平面光柵
4. 分辨率:不大于0.007nm
5. 刻線密度:3600g/mm
6. 高頻發(fā)生器震蕩頻率:40.68MHz 功率穩(wěn)定度:0.1%(長(zhǎng)期25℃典型值)
7. 震蕩類(lèi)型:自激式
8. 進(jìn)樣方式:蠕動(dòng)泵進(jìn)樣 配有多種霧室(旋流霧室、雙筒霧室和耐氫氟酸霧室)
9. 霧化器:同心霧化器
10. 重復(fù)性:RSD ≤1.0%
11. 穩(wěn)定性:RSD ≤2.0%(2小時(shí))
12. 冷卻氣:10-20L/min
13. 輔助氣:0-1.5 L/min
14. 載氣:0.4-1L/min
15. 尺寸:1550mm×759mm×1340mm(長(zhǎng)×寬×高)
16. 重量:240公斤

Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定工業(yè)硅中雜質(zhì)元素含量
關(guān)鍵詞
Plasma 3000,Plasma 2000,工業(yè)硅,耐氫氟酸進(jìn)樣系統(tǒng)
國(guó)家產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)GB/T2881-2014《工業(yè)硅》中規(guī)定,檢測(cè)工業(yè)硅中雜質(zhì)元素采用電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀測(cè)定。本實(shí)驗(yàn)參照標(biāo)準(zhǔn)GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法第四部分:雜質(zhì)元素含量測(cè)定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》測(cè)定工業(yè)硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對(duì)工業(yè)硅樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試,檢測(cè)結(jié)果與客戶化學(xué)法基本一致。
儀器特點(diǎn)
Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(鋼研納克檢測(cè)技術(shù)股份有限公司)是使用方便、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試快速的全譜ICP-OES分析儀,具有良好的分析精度和穩(wěn)定性。
Plasma3000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
? 大面積背照式CCD芯片,寬動(dòng)態(tài)范圍;
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),體積小巧;
? 多元素同時(shí)分析,全譜瞬態(tài)直讀。
? 多種進(jìn)樣系統(tǒng),可選擇性好;
? 垂直炬管,雙向觀測(cè),檢出限更加理想;
Plasma2000
? 高效固態(tài)射頻發(fā)生器,超高穩(wěn)定光源;
? 大面積背照式CCD芯片,寬動(dòng)態(tài)范圍;
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),體積小巧;
? 多元素同時(shí)分析,全譜瞬態(tài)直讀;
? 多種進(jìn)樣系統(tǒng),可選擇性好;
? 垂直炬管水平觀測(cè),耐鹽性更佳。
樣品前處理
1. Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Ni、Mn、P、Na、Ti含量測(cè)定:
? 稱取1g樣品,放置于250mL聚四氟乙烯燒杯,用少許水清洗杯壁并潤(rùn)濕樣品;
? 分次加入15mL~20mL氫氟酸,待反應(yīng)停止后加滴加硝酸至樣品完全溶解,然后加入3mL高氯酸,加熱冒高氯酸煙,待高氯酸白煙冒盡,取下冷卻。
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸,用少許水洗杯壁,加熱使殘?jiān)耆芙?,冷卻至室溫,轉(zhuǎn)移至50mL塑料容量瓶中,用水稀釋至刻度,搖勻;
? 隨同做空白實(shí)驗(yàn)。
2. B含量測(cè)定
? 稱取1g樣品,放置于250mL聚四氟乙烯燒杯,用少許水清洗杯壁并潤(rùn)濕樣品;
? 分次加入15mL~20mL氫氟酸,待反應(yīng)停止后,滴加硝酸至樣品完全溶解,過(guò)量1mL,待反應(yīng)停止后,加熱至近干(控制溫度低于140℃),取下冷卻;
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸低溫溶解殘?jiān)囟鹊陀?0℃),待樣品完全溶解后,冷卻至室溫,轉(zhuǎn)移至50mL塑料容量瓶中,用水稀釋至刻度,搖勻。
? 隨同做空白實(shí)驗(yàn)。
注:
1) 工業(yè)硅中有些元素含量超低,使用試劑和水需要高純,器皿清潔;
2) 標(biāo)準(zhǔn)溶液配置時(shí)注意介質(zhì)干擾,建議P、Na、B單獨(dú)配置;
3) 測(cè)量時(shí),采用耐氫氟酸進(jìn)樣系統(tǒng);
4) 樣品溶解時(shí),氫氟酸用量較大,注意器皿采用聚四氟乙烯和塑料;
標(biāo)準(zhǔn)曲線配置
標(biāo)準(zhǔn)溶液配置時(shí),可以先配置100μg/mL混合標(biāo)準(zhǔn)溶液,配置時(shí)按下表1加入體積數(shù)配置曲線。
表1 標(biāo)準(zhǔn)曲線配置
注:
1) 標(biāo)準(zhǔn)溶液配置時(shí)注意介質(zhì)干擾,建議P、Na、B單獨(dú)配置,濃度梯度同上表;
2) 配置曲線時(shí),酸度和樣品保持一致;
元素分析譜線
實(shí)驗(yàn)考慮各待測(cè)元素譜線之間的干擾及基體干擾,并選擇合適的扣背景位置,經(jīng)實(shí)驗(yàn),本文選擇分析譜線如下表2所示。
表2 各元素分析譜線及線性系數(shù)
測(cè)試結(jié)果
1. 標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試結(jié)果、精密度與回收率
按照方法,測(cè)試了標(biāo)準(zhǔn)樣品金屬硅FjyJ0401,同時(shí)加入100微克做回收率實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表3所示?;厥章试?8.75%~106.93%,結(jié)果令人滿意。
表3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果、精密度和回收率(n=11)
2. 樣品比對(duì)實(shí)驗(yàn)
采用Plasma2000型和Plasma3000型儀器測(cè)量客戶考察樣品,與客戶化學(xué)法比對(duì),結(jié)果如表4所示。通過(guò)比對(duì),儀器測(cè)定值與化學(xué)法基本一致。
表4 結(jié)果比對(duì)
注:“-” 客戶未提供化學(xué)法檢測(cè)數(shù)據(jù)
結(jié)論
使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業(yè)硅中雜質(zhì)元素分析問(wèn)題,完全滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T2881-2014《工業(yè)硅》和GB/T14849.4-2014《工業(yè)硅化學(xué)分析方法第四部分:雜質(zhì)元素含量測(cè)定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法》要求。

雙向觀測(cè)Plasma3000 鋼研納克ICP光譜儀
Plasma3000型雙向觀測(cè)全譜電感耦合等離子體光譜儀是鋼研納克在多年原子光譜領(lǐng)域的積淀下,聽(tīng)取分析檢測(cè)領(lǐng)域各界專(zhuān)業(yè)意見(jiàn),專(zhuān)為分析檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室打造的更全面更穩(wěn)定更科學(xué)的多元素?zé)o機(jī)分析設(shè)備。通過(guò)在Plasma2000的基礎(chǔ)上進(jìn)行大刀闊斧的改造升級(jí),采用全球前沿技術(shù),使得Plasm3000型ICP-OES更小巧,更穩(wěn)定,更高效,標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)全譜ICP邁入高端市場(chǎng)。Plasma3000擁有:
1、 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結(jié)構(gòu),徑向和軸向觀測(cè)接口設(shè)計(jì),具有強(qiáng)健的檢測(cè)能力。
2、 垂直火炬,雙向觀測(cè),冷錐消除尾焰,地降低自吸效應(yīng)及電離干擾,從而獲得更寬的動(dòng)態(tài)線性范圍和更低的背景,保證了準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。
3、 高效穩(wěn)定的自激式固態(tài)射頻發(fā)生器,體積小巧,匹配速度快,確保儀器的高精度運(yùn)行及優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
4、 高速面陣CCD采集技術(shù),單次曝光獲取全部譜線信息,真正實(shí)現(xiàn)“全譜直讀”。
5、 功能強(qiáng)大的軟件系統(tǒng),簡(jiǎn)化分析方法的開(kāi)發(fā)過(guò)程,為用戶量身打造簡(jiǎn)潔、舒適的操作體驗(yàn)。
可廣泛應(yīng)用于冶金、地質(zhì)、材料、環(huán)境、食品、醫(yī)藥、石油、化工、生物、水質(zhì)等各領(lǐng)域的元素分析。
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