PlasmaMS 300在環(huán)境領(lǐng)域的應(yīng)用
在環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域(監(jiān)控環(huán)境中微量和有毒元素)中，PLASMAMS 300是近年來(lái)增長(zhǎng)快的應(yīng)用技術(shù) 手段。 該應(yīng)用的關(guān)鍵是：根據(jù)相關(guān)法規(guī)，必須對(duì)水、土壤、淤泥以及其他重要的環(huán)境物質(zhì)中的一 系列元素進(jìn)行檢測(cè)，并且這些元素含量都在接近ppb級(jí)別。
在環(huán)境行業(yè)應(yīng)用中，的挑戰(zhàn)是：用同樣的分析方法來(lái)分析不同基體的樣品。在這種情 況下，是在用PLASMAMS 300檢測(cè)之前對(duì)樣品基體進(jìn)行分離。
分離技術(shù)近幾年在環(huán)境樣品分析中運(yùn)用很多。具體方法就是：將iCAP Q與可以分離目 標(biāo)元素氧化物的附件(一般為色譜，例如LC或GC)偶聯(lián)。
應(yīng)用領(lǐng)域：
自來(lái)水檢測(cè)和水污染監(jiān)測(cè) 廢水中有毒元素和低水平錒系元素測(cè)定
環(huán)境污染物中同位素識(shí)別和定量

公司主要技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新歷程
公司是我國(guó)金屬材料檢測(cè)領(lǐng)域的先行者?；谠撗性鹤?1954 年以來(lái)在金 屬材料和冶金工藝分析測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)積淀，公司于 2001 年成立，已逐步搭建 起強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新體系。公司自成立以來(lái)一直面向國(guó)家重大工程及重點(diǎn)項(xiàng)目需 求，不斷開(kāi)發(fā)新技術(shù)、新標(biāo)準(zhǔn)、新產(chǎn)品，屢次解決國(guó)家及行業(yè)在金屬檢測(cè)技術(shù)及 儀器裝備領(lǐng)域的瓶頸，不斷實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破，解決“卡脖子”問(wèn)題，引領(lǐng)國(guó)內(nèi)金 屬檢測(cè)和檢測(cè)分析儀器的技術(shù)進(jìn)步與創(chuàng)新。 憑借完善的創(chuàng)新體系和持續(xù)創(chuàng)新能力，公司目前擁有了在金屬材料檢測(cè)領(lǐng)域 的檢測(cè)、表征、評(píng)價(jià)和認(rèn)證服務(wù)能力，同時(shí)開(kāi)發(fā)出一系列具有完全自主知識(shí) 產(chǎn)權(quán)和首創(chuàng)性的儀器產(chǎn)品。
公司檢測(cè)分析儀器可分為原子光譜、X 射線熒光光譜、氣體元素分析、質(zhì)譜、 力學(xué)、無(wú)損探傷及環(huán)境監(jiān)測(cè)七大類，產(chǎn)品類型豐富，目前共有 40 多種產(chǎn)品型號(hào)， 覆蓋金屬材料檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品藥品檢測(cè)等應(yīng)用領(lǐng)域。

PlasmaMS的質(zhì)譜干擾消除辦法
PlasmaMS 300的另一類主要干擾是質(zhì)譜干擾。
1.多原子干擾(Polyatomic) – 與目標(biāo)同位素原子質(zhì)量重合的多原子離子，所帶來(lái)的干擾
2. 同量異位素干擾(Isobaric) –與目標(biāo)同位素原子具有相同質(zhì)量數(shù)的原子帶來(lái)的干擾(目標(biāo) 原子與干擾原子的質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)都不同，但(質(zhì)子數(shù)+中子數(shù))相同)；也包括質(zhì)荷比相等 的不同元素離子形成的干擾。
多原子離子： 包括氬化合物、氫化物、氧化物
氬化合物的產(chǎn)率可以通過(guò)性能選項(xiàng)來(lái)降低：例如使用等離子體屏蔽環(huán)(PlasmaScreen)和 碰撞反應(yīng)池(CCT, Collision Cell Technology)。
這些干擾有時(shí)是氣體引起的：例如進(jìn)樣時(shí)候引入的空氣、用來(lái)維持等離子體燃燒的氬氣。 還有的來(lái)自于樣品基體中的陰離子或者陽(yáng)離子。
氧化物的產(chǎn)率可以通過(guò)調(diào)諧來(lái)降低：炬管和霧化器的位置、氣體流速對(duì)氧化物產(chǎn)率的影響 是的。基體引起的干擾很多都是氧化物，尤其是樣品中的主量元素，會(huì)在距離主量元 素16個(gè)amu的位置產(chǎn)生一個(gè)氧化物的干擾峰。這樣的干擾普遍存在，并且隨著基體氧化 物沸點(diǎn)的升高，這樣的干擾更加嚴(yán)重。我們可以使用空白扣減來(lái)降低這樣的干擾。
同量異位素干擾: 這種干擾指的是，存在著和目標(biāo)元素原子質(zhì)量相同的干擾離子。要消除同量異位素干擾， 只能是盡可能選擇該元素的其它同位素來(lái)回避這樣的干擾。
還有一類特殊的同質(zhì)量干擾，如果干擾元素的二級(jí)電離電位(Isobaric interference)低于了 氬原子的一級(jí)電離電位(15.8ev)，這樣的元素原子在ICP中會(huì)形成雙電荷離子。對(duì)于雙電 荷離子的干擾，很難消除，但有的時(shí)候可以通過(guò)調(diào)諧來(lái)將干擾降低一些。如果可以的話， 通過(guò)更換更合適的同位素來(lái)解決。
如果用戶的目標(biāo)元素是單同位素元素時(shí)，例如As，此時(shí)就不能采用更換同位素的辦法來(lái) 避免干擾。As元素是比較典型的單同位素元素，同時(shí)面臨著普遍的多原子干擾(40Ar 35Cl)，一旦有氯元素的存在，就存在40Ar 35Cl的干擾。

PlasmaMS 300在金屬工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
痕量元素含量的變化對(duì)材料性能和生產(chǎn)控制有巨大影響。
PlasmaMS 300 PLASMAMS 300能在主要元素存在的條件下精確測(cè)定痕量元素，使用跳峰掃模式可以避 免主量元素、其氧化物、其雙電荷、其氫化物等的干擾，選擇同位素時(shí)應(yīng)注意避免基體離 子干擾。
應(yīng)用領(lǐng)域：
在研發(fā)和專業(yè)化學(xué)應(yīng)用領(lǐng)域有較廣的范圍 高純陶瓷和化學(xué)品
金屬和玻璃 產(chǎn)品純度驗(yàn)證