特點(diǎn)

高通量的斷面研磨

配備斷面研磨能力達(dá)到500 μm/h^*2以上的率離子。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以地制備出斷面樣品。

*2   在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 μm并加工1小時(shí)時(shí)的深度

斷面研磨

● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品

● 優(yōu)化加工條件，減輕損傷

● 可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

斷面研磨的主要用途

● 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面

● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面

● 制備評價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面

斷面研磨加工原理圖

平面研磨（Flat Milling^?）

● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍

● 可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域

● 可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品

● 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動（±60度～±90度的翻轉(zhuǎn)）2種加工方法

平面研磨（Flat Milling^?）的主要用途

● 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變

● 去除樣品的表層

● 消除FIB加工的損傷

平面研磨（Flat Milling?）加工原理圖

與日立SEM的樣品結(jié)合

● 樣品無需從樣品臺取下，就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。

● 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。

功能

冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1

附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升，所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對于過度冷卻后會產(chǎn)生開裂的樣品，通過冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂。

*1     此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能，而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。

樣品：鉛焊料

常溫研磨

冷卻研磨

選項(xiàng)

大氣隔離樣品桿

大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。

密封蓋將樣品密閉，進(jìn)入真空排氣的樣品室后，打開密封蓋。如此，離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。*1    僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。

*2    僅支持真空型日立AFM。

鋰離子電池負(fù)（充電后）

大氣隔離

大氣暴露