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鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
主營產(chǎn)品: 分子束外延薄膜生長設(shè)備MBE, 物理氣相沉積(PVD), 化學(xué)氣相沉積(CVD), 熱絲CVD金剛石制備設(shè)備, 真空系列
鵬城半導(dǎo)體-生產(chǎn)型-TGV/TSV/TMV-高真空磁控濺射鍍膜機
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鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司
店齡3年
企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
戴小姐
聯(lián)系電話
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經(jīng)營模式
生產(chǎn)廠家
所在地區(qū)
廣東省深圳市
生產(chǎn)型TGV/TSV/TMV磁控濺射鍍膜機(Sputter-2000W系列)該設(shè)備用于玻璃基板和陶瓷基板的高密度通孔和盲孔的鍍膜,深徑比>10:1。例如:用于基板鍍膜工序Cu/Ti微結(jié)構(gòu),Au/TiW傳輸導(dǎo)線雙體系膜層淀積能力,為微系統(tǒng)集成密度提升提供支撐。
本設(shè)備優(yōu)點:膜層均勻性及重復(fù)性高,膜層附著力強,設(shè)備依據(jù)工藝配方進行可編程自動化控制。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)
-單鍍膜室、雙鍍膜室、多腔體鍍膜室
-臥式結(jié)構(gòu)、立式結(jié)構(gòu)
-線列式、團簇式
-樣品傳遞:直線式、圓周式
-磁控濺射靶數(shù)量及類型:多支矩形磁控靶
-磁控濺射靶:直流、射頻、中頻、高能脈沖兼容
-基片可加熱、可升降、可加偏壓
-通入反應(yīng)氣體,可進行反應(yīng)濺射鍍膜
-操作方式:手動、半自動、全自動
-基片托架:根據(jù)基片尺寸配置
-基片幅面:2、4、6、8、10英寸及客戶指定尺寸
-進/出樣室極限真空度:≤8X10-5Pa
-進/出樣室工作背景真空度:≤2X10-3Pa
-鍍膜室的極限真空度:5X10-5Pa,
工作背景真空度:8X10-4Pa
-膜層均勻性:<5%(片內(nèi)),<5%(片間)
-設(shè)備總體漏放率:關(guān)機12小時真空度≤10Pa
工作條件
類型 | 參數(shù) | 備注 |
供電 | ~380V | 三相五線制 |
功率 | 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 | |
冷卻水循環(huán) | 根據(jù)設(shè)備規(guī)模配置 | |
水壓 | 1.0~1.5×105Pa | |
制冷量 | 根據(jù)散熱量配置 | |
水溫 | 18~25℃ | |
氣動部件供氣壓力 | 0.5MPa~0.7MPa | |
質(zhì)量流量控制器供氣壓力 | 0.05MPa~0.2MPa | |
工作環(huán)境溫度 | 10℃~40℃ | |
工作環(huán)境濕度 | ≤50% |
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